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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6800 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6800E3 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6802 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6802E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557 |
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| JAN2N6804 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA |
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| JAN2N6806 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA |
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| JAN2N682E3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, SCR |
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| JAN2N6849U | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| JAN2N686 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208 |
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| JAN2N688 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208 |
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