5秒后页面跳转
JAN2N6798 PDF预览

JAN2N6798

更新时间: 2024-11-27 12:09:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JAN2N6798 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.18
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.5 A最大漏极电流 (ID):5.5 A
最大漏源导通电阻:0.42 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JAN2N6798 数据手册

 浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第6页浏览型号JAN2N6798的Datasheet PDF文件第7页 

JAN2N6798 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N6798 INFINEON

功能相似

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic Packagi
IRFF230 INFINEON

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与JAN2N6798相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N6798E3 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JAN2N6800 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JAN2N6800E3 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JAN2N6802 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JAN2N6802E3 MICROSEMI

获取价格

N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557
JAN2N6804 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-204AA
JAN2N6806 ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-204AA
JAN2N682E3 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SCR
JAN2N6849U MICROSEMI

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
JAN2N686 MICROSEMI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 250V V(DRM), 250V V(RRM), 1 Element, TO-208AA, TO-48, TO-208