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JAN2N6798

更新时间: 2024-11-04 12:09:27
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美高森美 - MICROSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 1039K
描述
N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/557

JAN2N6798 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.18
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.5 A最大漏极电流 (ID):5.5 A
最大漏源导通电阻:0.42 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-205AFJESD-30 代码:O-MBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):25 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

JAN2N6798 数据手册

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