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JAN2N6678

更新时间： 2024-02-27 00:05:32

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	64K
描述
NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6678 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	15 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	8	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	175 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz

JAN2N6678 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 538

Devices

Qualified Level

JAN

2N6676

2N6678

2N6691

2N6693

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol

2N6676 2N6678 Unit

2N6691 2N6693

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

300

450

400

650

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_CEX

V_EBO

I_B

8.0

5.0

2N6676, 2N6678

TO-3 (TO-204AA)*

Collector Current

I_C

2N6676 2N6691

2N6678 2N6693

6.0⁽²⁾

175

3.0⁽³⁾

175

Total Power Dissipation

@ T_A= 25⁰C

P_T

@ T_C= 25⁰C⁽¹⁾

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +200

⁰C

T_op;

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

1.0

qJC

2N6691, 2N6693

TO-61*

1) Derate linearly 1.0 W/⁰C for T_C> 25⁰C

2) Derate linearly 34.2 mW/⁰C for T_A> 25⁰C

3) Derate linearly 17.1 mW/⁰C for T_A> 25⁰C

* See Appendix A for Package

Outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

Symbol

Min.

Max.

Unit

Vdc

300

400

2N6676, 2N6691

2N6678, 2N6693

V_(BR)

CEO

Collector-Emitter Cutoff Current

V_CE= 450 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

V_CE= 650 Vdc, V_BE= 1.5 Vdc

0.1

mAdc

2N6676, 2N6691

2N6678, 2N6693

I_CEX

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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