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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-205AF |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.8 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500 | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 45 ns | 最大开启时间（吨）： | 40 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N6796E3 | MICROSEMI |
功能相似  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6782U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JAN2N6784 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6786 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| JAN2N6786U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| JAN2N6788 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6788U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JAN2N6790 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6790U | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JAN2N6792 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6794 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-39 |
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