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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6758 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-3 |
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| JAN2N6760 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-3 |
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| JAN2N6762 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-3 |
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| JAN2N6764 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JAN2N6766 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JAN2N6766T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| JAN2N6768 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-3 |
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| JAN2N6768T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JAN2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
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| JAN2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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