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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-254AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 认证状态： | Qualified | 参考标准： | MIL-19500/543 |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6768 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-3 |
|
| JAN2N6768T1 | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JAN2N6770 | MICROSEMI |
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N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543 |
|
| JAN2N6770T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JAN2N6782 | MICROSEMI |
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This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up t |
|
| JAN2N6782U | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.61ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| JAN2N6784 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.25A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6786 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| JAN2N6786U | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
| JAN2N6788 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-39 |
|
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