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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-204AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 95 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/58D |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 0.02 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6650 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| JAN2N6660 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6660B | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JAN2N6660B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JAN2N6661 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6661B | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| JAN2N6674 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
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| JAN2N6675 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
|
| JAN2N6676 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6676T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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