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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOW THRESHOLD |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.99 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 10 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-205AD | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6661 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
|
| JAN2N6661B | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| JAN2N6674 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
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| JAN2N6675 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-204AA |
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| JAN2N6676 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6676T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JAN2N6678 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6678T1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Transistor |
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| JAN2N6689 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
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| JAN2N6690 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-210AC |
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