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JAN2N6650

更新时间： 2024-11-04 20:19:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	55K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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JAN2N6650 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-204AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-3
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/527B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N6650 数据手册

TECHNICAL DATA

PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 527

Devices

Qualified Level

JANTX

JANTXV

2N6648

2N6649

2N6650

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Symbol 2N6648 2N6649 2N6650 Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Base Current

-40

-60

-80

Vdc

Adc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_B

-40

-60

-80

-5.0

-0.25

-10

Collector Current

I_C

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= +25⁰C ⁽²⁾

5.0

⁰C

P_T

Operating & Storage Junction Temperature Range

-65 to +175

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

⁰C/W

TO-3* (TO-204AA)

Thermal Resistance Junction-to-Case

1.76

qJC

1) Derate linearly 33.3 mW/⁰C for T_A> +25⁰C

2) Derate linearly 567 mW/⁰C for T_C> +25⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 200 mAdc

-40

-60

-80

2N6648

2N6649

2N6650

V_(BR)

CEO

Vdc

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-40

-60

-80

I_C= 200 mAdc, R_BB= 100 W

2N6648

2N6649

2N6650

V_(BR)

CER

Vdc

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= -40 Vdc

V_CB= -60 Vdc

-1.0

2N6648

2N6649

2N6650

I_CBO

mAdc

V_CB= -80 Vdc

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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与JAN2N6650相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6660	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-39
JAN2N6660B	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JAN2N6660B	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JAN2N6661	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 90V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-39
JAN2N6661B	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
JAN2N6674	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-204AA
JAN2N6675	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 400V V(BR)CEO \| 15A I(C) \| TO-204AA
JAN2N6676	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6676T1	MICROSEMI	获取价格	Transistor
JAN2N6678	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR

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