是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-204AA |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.12 |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 400 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 12 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 175 W | 最大功率耗散 (Abs): | 175 W |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/525 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 6 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N6603 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6604 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6648 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
JAN2N6649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 | |
JAN2N665 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 | |
JAN2N6650 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
JAN2N6660 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 | |
JAN2N6660B | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JAN2N6660B | TEMIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
JAN2N6661 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 90V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |