是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-204AA |
包装说明: | TO-3, 2 PIN | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 10 A | 集电极-发射极最大电压: | 80 V |
配置: | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
JEDEC-95代码: | TO-3 | JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
认证状态: | Qualified | 参考标准: | MIL-19500/523B |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N6674LEADFREE | CENTRAL |
功能相似 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N6437 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | |
JAN2N6438 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, | |
JAN2N650A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 | |
JAN2N651A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 | |
JAN2N652A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 | |
JAN2N6546 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6547 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6603 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6604 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6648 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |