是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-5 | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.49 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压: | 30 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 30 |
JEDEC-95代码: | TO-5 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 100 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | CYLINDRICAL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | PNP | 最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W |
认证状态: | Not Qualified | 参考标准: | MIL-19500/175C |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT): | 1 MHz |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JAN2N652A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 | |
JAN2N6546 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6547 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR | |
JAN2N6603 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6604 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | |
JAN2N6648 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
JAN2N6649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 | |
JAN2N665 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 | |
JAN2N6650 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 | |
JAN2N6660 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |