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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6546 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6547 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6603 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| JAN2N6604 | MOTOROLA |
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L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| JAN2N6648 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| JAN2N6649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N665 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N6650 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| JAN2N6660 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-39 |
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| JAN2N6660B | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.99A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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