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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2N6674LEADFREE
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2N6674LEADFREE

更新时间： 2024-11-28 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 462K
描述
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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2N6674LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.13
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：15 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-3
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

2N6674LEADFREE 数据手册

 浏览型号2N6674LEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
2N6674  
2N6675  
www.centralsemi.com  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675  
types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power  
Transistors designed for high voltage switching  
applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-3 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
2N6674  
450  
2N6675  
650  
UNITS  
V
C
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
CEV  
CEO  
EBO  
V
V
300  
400  
V
V
7.0  
15  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
I
A
C
I
20  
A
CM  
Continuous Base Current  
Power Dissipation  
I
5.0  
175  
A
B
P
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
1.0  
°C  
°C/W  
J
stg  
Θ
JC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
V
V
V
=Rated V  
=Rated V  
=7.0V  
, V =1.5V  
0.1  
mA  
mA  
mA  
V
CEV  
CEV  
EBO  
CE  
CE  
EB  
CEV BE  
, V =1.5V, T =100°C  
CEV BE  
1.0  
2.0  
C
BV  
I =200mA (2N6674)  
300  
400  
CEO  
CEO  
C
BV  
I =200mA (2N6675)  
V
C
V
V
V
V
I =10A, I =2.0A  
1.0  
2.0  
5.0  
1.5  
20  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10A, I =2.0A, T =100°C  
V
C
B
C
I =15A, I =5.0A  
V
C
B
I =10A, I =2.0A  
V
C
B
h
V
=2.0V, I =10A  
8.0  
1.0  
1.0  
3.0  
15  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
I
I
V
V
V
V
V
=30V, I =5.9A  
s
s
S/b  
C
=100V, I =250mA  
S/b  
C
h
=10V, I =1.0A, f=5.0MHz  
10  
50  
fe  
C
f
=10V, I =1.0A, f=5.0MHz  
MHz  
pF  
t
C
C
=10V, I =0, f=100kHz  
150  
500  
ob  
E
R1 (10-March 2011)  
12

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2N6674LEADFREE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN2N6385 MICROSEMI

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