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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-5 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/175C |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | GERMANIUM | 标称过渡频率 (fT)： | 0.75 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N651A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N652A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N6546 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6547 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N6603 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| JAN2N6604 | MOTOROLA |
获取价格 |
L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| JAN2N6648 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| JAN2N6649 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 60V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N665 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N6650 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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