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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6379 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3 |
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| JAN2N6383 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| JAN2N6384 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| JAN2N6385 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| JAN2N6437 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| JAN2N6438 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| JAN2N650A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N651A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N652A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N6546 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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