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JAN2N6383 PDF预览

JAN2N6383

更新时间： 2024-01-13 18:29:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

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JAN2N6383 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-204AA
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/523B
表面贴装：NO端子形式：PIN/PEG
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JAN2N6383 数据手册

 浏览型号JAN2N6383的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 523  
Devices  
Qualified Level  
JAN, JANTX  
JANTXV  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N6383 2N6384 2N6385 Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
40  
60  
80  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
40  
60  
80  
5.0  
0.25  
10  
Collector Current  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (1)  
@ TC = +250C (2)  
6.0  
100  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature  
-55 to +175  
Top, T  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
TO-3* (TO-204AA)  
Thermal Resistance Junction-to-Case  
1.75  
R
qJC  
1) Derate linearly 34.2 mW/0C above TA > +250C  
2) Derate linearly 571 mW/0C above TC > +250C  
*See Appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = +250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
40  
60  
80  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
Vdc  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
40  
60  
80  
IC = 200 mAdc, RBB = 100 W  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
Vdc  
V(BR)  
CER  
Collector-Base Cutoff Current  
VCE = 40 Vdc  
VCE = 60 Vdc  
1.0  
1.0  
1.0  
2N6383  
2N6384  
2N6385  
mAdc  
ICBO  
VCE = 80 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
120101  
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与JAN2N6383相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N6384 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6385 MICROSEMI

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6437 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N6438 MICROSEMI

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 		Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N650A ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5
JAN2N651A ETC

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JAN2N6546 MICROSEMI

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 		NPN POWER SILICON TRANSISTOR
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JAN2N6603 MOTOROLA

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 		L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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