JANTX2N6353

更新时间： 2024-01-23 03:17:31

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美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管
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2页	58K
描述
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N6353 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-66	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	5 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：	1000	JESD-30 代码：	O-MBFM-P3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

JANTX2N6353 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 472

Devices

Qualified Level

JAN

2N6350

2N6351

2N6352

2N6353

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N6350 2N6351

2N6352 2N6353

Symbol

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

150

Vdc

V_CER

V_CBO

150

6.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

Vdc

Adc

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_EBO

I_B

Collector Current

I_C

2N6350, 2N6351

TO-33*

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

1.0⁽²⁾

5.0⁽³⁾

2.0⁽⁴⁾

25⁽⁵⁾

⁰C

P_T

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

⁰C/W

qJC

1) Applies for t_p£ 10 ms, Duty cycle £ 50%

2N6352, 2N6353

TO-24* (TO-213AA)

2) Derate linearly @ 5.72 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

3) Derate linearly @ 50 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

4) Derate linearly @ 11.4 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

5) Derate linearly @ 250 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

Vdc

I_C= 25 mAdc, R_B1E= 2.2 kW, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_(BR)

CER

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JANTX2N6353 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6353	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6353	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6353	MICROSEMI	类似代替	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JANTX2N6378	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3
JANTX2N6379	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JANTX2N6383	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 40V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
JANTX2N6384	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
JANTX2N6385	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 80V V(BR)CEO \| 10A I(C) \| TO-3
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JANTX2N6603	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
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