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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-204AA |
| 包装说明： | METAL CAN-2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.77 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 25 A | 集电极-发射极最大电压： | 140 V |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JEDEC-95代码： | TO-3 |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N6341 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 25A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N6350 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6351 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6352 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6353 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
|
| JAN2N6378 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, |
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| JAN2N6379 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-3 |
|
| JAN2N6383 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| JAN2N6384 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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| JAN2N6385 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
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