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JAN2N6350

更新时间： 2024-11-23 21:53:23

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	58K
描述
NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

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JAN2N6350 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-33
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.27	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JEDEC-95代码：	TO-33
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/472B
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	1200 ns	最大开启时间（吨）：	500 ns
Base Number Matches：	1

JAN2N6350 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 472

Devices

Qualified Level

JAN

2N6350

2N6351

2N6352

2N6353

JANTX

JANTXV

MAXIMUM RATINGS

Ratings

2N6350 2N6351

2N6352 2N6353

Symbol

Units

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

150

Vdc

V_CER

V_CBO

150

6.0

0.5

5.0

10⁽¹⁾

Vdc

Adc

Emitter-Base Voltage

Base Current

V_EBO

I_B

Collector Current

I_C

2N6350, 2N6351

TO-33*

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Total Power Dissipation @ T_A= 25⁰C

@ T_C= 100⁰C

Operating & Storage Junction Temperature Range

1.0⁽²⁾

5.0⁽³⁾

2.0⁽⁴⁾

25⁽⁵⁾

⁰C

P_T

-65 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

2N6350 2N6352

2N6351 2N6353

Symbol

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

4.0

⁰C/W

qJC

1) Applies for t_p£ 10 ms, Duty cycle £ 50%

2N6352, 2N6353

TO-24* (TO-213AA)

2) Derate linearly @ 5.72 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

3) Derate linearly @ 50 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

4) Derate linearly @ 11.4 mW/⁰C above T_A> 25⁰C

5) Derate linearly @ 250 mW/⁰C above T_C> 100⁰C

*See Appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_C= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150

Vdc

I_C= 25 mAdc, R_B1E= 2.2 kW, R_B2E= 100 W

2N6350, 2N6352

2N6351, 2N6353

V_(BR)

CER

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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JAN2N6350 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N6350	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N6350	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
2N6350	MICROSEMI	完全替代	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

与JAN2N6350相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N6351	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6352	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6353	MICROSEMI	获取价格	NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N6378	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N6379	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3
JAN2N6383	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6384	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6385	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
JAN2N6437	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
JAN2N6438	MICROSEMI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 120V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

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