生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTN58N50 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTN5N250 | LITTELFUSE |
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超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计,这类应用需要高 | |
IXTN600N04T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Di | |
IXTN600N04T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTN60N50L2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode | |
IXTN60N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTN61N50 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTN62N50L | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode | |
IXTN62N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTN660N04T4 | LITTELFUSE |
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40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。 它可提供27 |