Datasheet > IXTN550N055T2

IXTN550N055T2

更新时间： 2024-01-01 12:56:33

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	179K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTN550N055T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTN550N055T2 数据手册

IXTN550N055T2

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

300

250

200

150

100

300

250

200

150

100

T_J= - 40ºC

T_J= 150ºC

25ºC

- 40ºC

150ºC

100

150

200

250

300

2.5

0.2

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

1.1

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of

Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

350

300

250

200

150

100

V_DS= 27.5V

_D= 275A

_G= 10mA

T_J= 150ºC

T_J= 25ºC

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

100

200

300

400

500

600

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

10,000

1,000

100

100.0

10.0

1.0

Limit

DS(on)

iss

25µs

100µs

External Lead Limit

oss

1ms

rss

10ms

= 175ºC

= 25ºC

100ms

= 1 MHz

Single Pulse

0.1

100

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTN550N055T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN58N50	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTN5N250	LITTELFUSE	获取价格	超高电压系列的N通道标准MOSFET专为要求严苛的快速切换电源转换应用设计，这类应用需要高
IXTN600N04T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Di
IXTN600N04T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTN60N50L2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTN60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTN61N50	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTN62N50L	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTN62N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTN660N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27