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IXGP30N60B2

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	549K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP30N60B2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.18	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	70 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	350 ns	标称接通时间 (ton)：	30 ns
Base Number Matches：	1

IXGP30N60B2 数据手册

IXGP 30N60B2

Fig. 13. Dependence of Turn-Off

Switching Time on Temperature

Fig. 14. Gate Charge

220

200

180

160

140

120

100

V_CE= 300V

I_C= 24A

_G= 10mA

t_d(off)

I_C= 12A

24A

t_fi- - - - - -

R_G= 5Ω

V_GE= 15V

V_CE= 400V

48A

I_C= 48A

24A

12A

25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125

T_J- Degrees Centigrade

Q _G- nanoCoulombs

Fig. 15. Capacitance

10000

1000

100

f = 1 MHz

ies

oes

res

V_{C E}- Volts

Fig. 16. Maximum Transient Thermal Resistance

1.0

0.5

0.1

100

1000

Pulse Width - milliseconds

1 2 3 45

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