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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 27 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 3000 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 695 ns | 标称接通时间 (ton)： | 608 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBF20N360 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF20N360 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF28N300 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBF32N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF40N140 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET |
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| IXBF40N160 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET |
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| IXBF40N160 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF42N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF42N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, |
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| IXBF50N360 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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