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IXBF50N360

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压二极管
页数	文件大小	规格书
7页	235K
描述
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

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IXBF50N360 数据手册

Advance Technical Information

BiMOSFET^TMMonolithic

Bipolar MOS Transistor

High Voltage,

V_CES= 3600V

I_C110= 28A

V_CE(sat) 2.9V

IXBF50N360

High Frequency

(Electrically Isolated Tab)

ISOPLUS i4-Pak^TM

Symbol

V_CES

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

3600

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

1 = Gate

2 = Emitter

5 = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

420

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 200

0.8 • V_CES

Features

T_SC

V_GE= 15V, T_J= 125°C,

(SCSOA)

R_G= 10, V_CE=1500V, Non-Repetitive

μs

^Silicon Chip on Direct-Copper Bond

(DCB) Substrate

P_C

T_C= 25°C

290

^Isolated Mounting Surface

^4000V~ Electrical Isolation

T_J

- 55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg



High Blocking Voltage

- 55 ... +150

^High Frequency Operation

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force with Clip

30..170 / 7..36

N/lb

V_ISOL

Weight

50/60Hz, 5 Seconds

4000

^Low Gate Drive Requirement

^High Power Density

Applications

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

3600

3.0

Typ.

Max.

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C

= 250μA, V_GE= 0V

^Uninterruptible Power Supplies

(UPS)

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

5.0

^Laser Generators

^Capacitor Discharge Circuits

^AC Switches

V_CE= 0.8 • V_CES, V_GE= 0V

25 μA

μA

Note 2, T_J= 100°C

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

I_C= 50A, V_GE= 15V, Note 1

T_J= 125°C

I_GES

±200 nA

V_CE(SAT)

2.4

3.0

2.9

DS100623(7/14)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXBF55N300	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAK-3
IXBF55N300	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBF9N140	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET
IXBF9N140G	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3
IXBF9N160	IXYS	获取价格	High Voltage BIMOSFET
IXBF9N160G	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH10N170	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IXBH10N170	LITTELFUSE	获取价格	BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO
IXBH10N300HV	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXBH12N300	IXYS	获取价格	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

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