是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | ISOPLUS |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 4.41 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, FAST SWITCHING |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 28 A |
集电极-发射极最大电压: | 1600 V | 配置: | SINGLE |
门极发射器阈值电压最大值: | 8 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 340 ns | 标称接通时间 (ton): | 260 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXBF42N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBF42N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, ISOPLUS, | |
IXBF50N360 | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBF55N300 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAK-3 | |
IXBF55N300 | LITTELFUSE |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
IXBF9N140 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET | |
IXBF9N140G | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3 | |
IXBF9N160 | IXYS |
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High Voltage BIMOSFET | |
IXBF9N160G | LITTELFUSE |
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BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺,BiMO | |
IXBH10N170 | IXYS |
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High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |