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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | ISOPLUS |
| 包装说明： | PLASTIC, ISOPLUS, I4PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 8.5 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 3000 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5 V | 门极-发射极最大电压： | 25 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 240 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 950 ns | 标称接通时间 (ton)： | 652 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXBF50N360 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBF55N300 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAK-3 |
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| IXBF55N300 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IXBF9N140 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFET |
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| IXBF9N140G | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3 |
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| IXBF9N160 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage BIMOSFET |
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| IXBF9N160G | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBH10N170 | IXYS |
获取价格 |
High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor |
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| IXBH10N170 | LITTELFUSE |
获取价格 |
BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMO |
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| IXBH10N300HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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