是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.39 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (ID): | 16 A |
最大漏源导通电阻: | 0.4 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AC | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFPG60PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFPS29N60L | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFPS29N60L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFPS29N60LPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFPS29N60LPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFPS30N60K | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFPS30N60KPBF | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFPS35N50L | INFINEON |
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HEXFETPower MOSFET | |
IRFPS35N50L | VISHAY |
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IRFPS35N50L | |
IRFPS35N50LPBF | VISHAY |
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IRFPS35N50L |