5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFP250MPBF
IRFP250MPBF PDF预览

IRFP250MPBF

更新时间： 2024-02-01 00:17:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 262K
描述
HEXFET® Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFP250MPBF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.91配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：33 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：180 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)

IRFP250MPBF 数据手册

 浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFP250MPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96292  
IRFP250MPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 200V  
l Fully Avalanche Rated  
l Ease of Paralleling  
RDS(on) = 0.075Ω  
G
l Simple Drive Requirements  
l Lead-Free  
ID = 30A  
S
Description  
FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an  
extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where  
higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar  
but superior tothe earlier TO-218 package because ofits isolated mounting hole.  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
30  
21  
A
120  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
214  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
1.4  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
315  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
30  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
21  
mJ  
V/ns  
8.6  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 srew  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.7  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
03/01/10  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

IRFP250MPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFP250PBF VISHAY

功能相似

 Power MOSFET

与IRFP250MPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFP250N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
IRFP250NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP250PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFP250PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRFP250R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247
IRFP251 INFINEON

获取价格

 		N-Channel(Hexfet Transistors)
IRFP251 SAMSUNG

获取价格

 		N-Channel Power Mosfets
IRFP251 IXYS

获取价格

 		High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
IRFP251R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-247
IRFP252 SAMSUNG

获取价格

 		N-Channel Power Mosfets

与IRFP250MPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证