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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRFL214TRPBF
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IRFL214TRPBF

更新时间： 2024-11-16 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 878K
描述
Power MOSFET

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IRFL214TRPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-261AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：6 weeks风险等级：5.07
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.79 A最大漏极电流 (ID)：0.79 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFL214TRPBF 数据手册

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IRFL214, SiHFL214  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Surface Mount  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
250  
Available  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
2.0  
RoHS*  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
8.2  
1.8  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
4.5  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
DESCRIPTION  
SOT-223  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The SOT-223 package is designed for surface-mounting  
using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.  
Its unique package design allows for easy automatic  
pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has  
the added advantage of improved thermal performace due to  
an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of greater  
than 1.25 W is possible in a typical surface mount  
application.  
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
SOT-223  
SOT-223  
IRFL214PbF  
SiHFL214-E3  
IRFL214  
IRFL214TRPbFa  
SiHFL214T-E3a  
IRFL214TRa  
SiHFL214Ta  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFL214  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
250  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
0.79  
0.50  
6.3  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.025  
0.017  
50  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
EAS  
IAR  
mJ  
A
0.79  
0.31  
3.1  
EAR  
mJ  
T
C = 25 °C  
PD  
W
TA = 25 °C  
2.0  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91194  
S-81393-Rev. A, 07-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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IRFL214TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRFL214TR VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
IRFL214 VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
IRFL214PBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET

与IRFL214TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFL30N20D ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262
IRFL30N20DPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20D INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL31N20DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4105 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.045ohm, Id=3.7A)
IRFL4105PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFL4105TR INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRFL4105TRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFL4310 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=1.6A)
IRFL4310PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on)

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