是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | TO-261AA, 4 PIN | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-261AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFL4310TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET | |
BSP372L6327 | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRLM120ATF | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFL4310TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET | |
IRFL4315 | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET | |
IRFL4315PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRFL4315TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRFL4315TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRFL5505 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223 | |
IRFL640 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL640PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL9014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET | |
IRFL9014 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.8A) |