IRFL9110

更新时间： 2024-02-15 00:27:17

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威世 - VISHAY		/
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描述
Power MOSFET

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IRFL9110 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-261AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.63
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.1 A
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-261AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3.1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFL9110 数据手册

IRFL9110, SiHFL9110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Surface Mount

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 100

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• P-Channel

Available

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= - 10 V

1.2

RoHS*

COMPLIANT

8.7

2.2

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

Q_gd(nC)

4.1

Configuration

Single

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mount using

vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Its

unique package design allows for easy automatic

pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has

the added advantage of improved thermal performance due

to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of

greater than 1.25 W is possible in a typical surface mount

application.

SOT-223

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

SOT-223

IRFL9110PbF

SiHFL9110-E3

IRFL9110

IRFL9110TRPbF^a

SiHFL210T-E3^a

IRFL9110TR^a

SiHFL9110T^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFL9110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 1.1

Continuous Drain Current

_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 0.69

- 8.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.025

0.017

100

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

- 1.1

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AR

0.31

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

3.1

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.0

dV/dt

- 5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 7.7 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 4.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 4.4 A, dI/dt ≤ - 75 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91196

S-81369-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFL9110, SiHFL9110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on)
IRFL9110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFL9110TRPBF	INFINEON	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFM	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM010	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| SOT-223
IRFM014	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2.7A I(D) \| SOT-223
IRFM014A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 2.8A I(D) \| SOT-223

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