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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 96 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM044 | INFINEON |
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60V, N-CHANNEL |
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| IRFM044D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFM044DPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFM044U | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFM044UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFM050 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
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| IRFM054 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFM054 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| IRFM054D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-254VAR |
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| IRFM054SCX | INFINEON |
获取价格 |
60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX |
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