5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFM110AS62Z
IRFM110AS62Z PDF预览

IRFM110AS62Z

更新时间： 2024-11-16 15:35:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 265K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFM110AS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.82雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFM110AS62Z 数据手册

 浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFM110AS62Z的Datasheet PDF文件第7页 
IRFM110A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 0.4  
ID = 1.5 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
SOT-223  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
2
W
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)  
1
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
100  
1.5  
O
O
C
C
Continuous Drain Current (TA=25  
)
)
ID  
A
Continuous Drain Current (T =70  
1.19  
12  
A
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
1
Drain Current-Pulsed  
A
V
O
+
_
20  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
2
O
mJ  
A
60  
1
1.5  
0.2  
O
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
1
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
6.5  
O
O
*
C
Total Power Dissipation (TA=25  
)
2
PD  
O
*
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
W/ C  
0.016  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
O
C
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
--  
Max.  
Units  
O
RqJA  
*
Junction-to-Ambient  
62  
C/  
W
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRFM110AS62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM110ATF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM120A FAIRCHILD

获取价格

 		IEEE802.3af Compatible
IRFM120AD84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM120AL99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM120AS62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM120ATF FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM120ATF ONSEMI

获取价格

 		100V N沟道A-FET / IRFM120的替代器件
IRFM120ATF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM1310ST SEME-LAB

获取价格

 		N?CHANNEL POWER MOSFET
IRFM1310ST

获取价格

 		N-Channel Power MOSFET

与IRFM110AS62Z相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证