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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.65 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 150 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 34 A | 最大漏源导通电阻： | 0.081 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM150PBF | INFINEON |
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暂无描述 |
|
| IRFM150U | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM150UPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFM210 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| IRFM210A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET (200V, 1.5ohm, 0.77A) |
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| IRFM210AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM210AL99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM210ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRFM210B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFM210BD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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