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IRFM140

更新时间： 2024-11-16 11:09:39

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRFM140 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	28 A	最大漏源导通电阻：	0.125 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFM140 数据手册

N-CHANNEL

POWER MOSFET

IRFM140 / 2N7218

•

Low R

MOSFET Transistor

DS(on)

In A Isolated Hermetic Metal Package

•

Designed For Switching, Power Supply,

Motor Control and Amplifier Applications

Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

VDS

Drain – Source Voltage

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

Total Power Dissipation at

100V

20V

T = 25°C

T = 100°C

28A

20A

112A

T = 25°C

100W

Derate Above 25°C

0.8W/°C

250mJ

Single Pulse Avalanche Energy⁽²⁾

Peak Diode Recovery⁽³⁾

dv/dt

5.5V/ns

-55 to +150°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

stg

THERMAL PROPERTIES

Symbols

Parameters

Min.

Typ. Max. Units

Thermal Resistance, Junction To Case

1.25

°C/W

θJC

Notes

(1) Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature

(2) @V

= 25V, L ≥ 470µH, Peak I = 28A, Starting T = 25°C

(3) @ I ≤ 28A, di/dt ≤ 170A/µs, V

≤ BV

, T ≤ 150°C, Suggested R = 9.1Ω

(4) Pulse Width ≤ 300us, δ ≤ 2%

DSS

Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.

Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However

Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to

verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab Limited Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB

Telephone +44 (0) 1455 556565 Fax +44 (0) 1455 552612 Email: sales@semelab-tt.com

Document Number 8085

Issue 1

Page 1 of 3

Website: http://www.semelab-tt.com

12 3

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IRFM140 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7224	MICROSEMI	功能相似	N-CHANNEL MOSFET
IRFM150	INFINEON	功能相似	REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED
IRFM140	INFINEON	功能相似	HEXFET TRANSISTOR

与IRFM140相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM140D	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-254VAR
IRFM140PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFM140U	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 28A I(D) \| TO-254VAR
IRFM150	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE RATED AND dv/dt RATED
IRFM150	TEMIC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM150	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM150	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA
IRFM150D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 34A I(D) \| TO-254VAR
IRFM150PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFM150U	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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