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IRFM210BL99Z

更新时间： 2024-02-08 10:24:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 705K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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IRFM210BL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.75外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (ID)：0.77 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：9 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFM210BL99Z 数据手册

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November 2001  
IRFM210B  
200V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supplies, DC-AC converters for  
uninterrupted power supply and motor control.  
•
•
•
•
•
0.77A, 200V, R  
= 1.5Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 7.2 nC)  
Low Crss ( typical 6.8 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
G !  
S
"
G
!
S
SOT-223  
IRFM Series  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
IRFM210B  
200  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
0.77  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
0.61  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
6.0  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
40  
mJ  
A
AS  
0.77  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.2  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.0  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.016  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
61  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
12345678

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与IRFM210BL99Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM210BS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.77A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFM210BTF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IRFM214A ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 640MA I(D) | SOT-223
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