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IRFM250

更新时间： 2024-02-05 16:48:30

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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IRFM250 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-254AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.24	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	27.4 A
最大漏源导通电阻：	0.105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	225 ns
Base Number Matches：	1

IRFM250 数据手册

IRFM250

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

N–CHANNEL

POWER MOSFET

13.59 (0.535)

13.84 (0.545)

6.32 (0.249)

6.60 (0.260)

V_DSS

200V

3.53 (0.139)

Dia.

1.02 (0.040)

1.27 (0.050)

3.78 (0.149)

I_D(cont)

R_DS(on)

27.4A

Ω

0.100

FEATURES

• N–CHANNEL MOSFET

• HIGH VOLTAGE

• INTEGRAL PROTECTION DIODE

• HERMETIC ISOLATED TO-254 PACKAGE

• CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE

OPTION

0.89 (0.035)

1.14 (0.045)

3.81 (0.150)

BSC

3.81 (0.150)

BSC

TO–254AA – Isolated Metal Package

Pin 1 – Drain

Pin 2 – Source

Pin 3 – Gate

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)

Gate – Source Voltage

±20V

27.4A

Continuous Drain Current

@ V = 10V , T = 25°C

GS C

@ V = 10V , T = 100°C

17A

Pulsed Drain Current

110A

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Avalanche Current , Clamped

@ T = 25°C

150W

1.2W / °C

27.4A

dv / dt

Peak Diode Recovery

5.5V / ns

0.83°C / W

48°C / W

0.21°C / W typ.

–55 to 150°C

300°C

Thermal Resistance Junction – Case

Thermal Resistance Junction – Ambient

Thermal Resistance Case – Sink

θJC

θJA

θCS

T , T

Operating Junction and Storage Temperature Range

Lead Temperature (1.6mm from case for 10s)

STG

= 50V , Starting T = 25°C , L ≥ 1mH , R = 25Ω , Peak I = 27.4A

DD G L

≤ 27.4A , di/dt ≤ 190A / µS , V ≤ BV

, T ≤ 150°C , Suggested R = 2.35Ω

DSS J G

Prelim. 9/95

Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.

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