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IRFM450

更新时间： 2024-09-24 04:23:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 181K
描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRFM450 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.11
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：750 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.515 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-254AA
JESD-30 代码：S-MSFM-P3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：METAL
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：150 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFM450 数据手册

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PD - 90493F  
IRFM450  
JANTX2N7228  
JANTXV2N7228  
POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-254AA)  
REF: MIL-PRF-19500/592  
500V, N-CHANNEL  
HEXFET® MOSFET TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
RDS(on)  
ID  
IRFM450  
0.415 Ω  
12A  
HEXFET® MOSFET technology is the key to International  
Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The  
efficient geometry design achieves very low on-state re-  
sistance combined with high transconductance. HEXFET  
transistors also feature all of the well-established advan-  
tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-  
ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature  
stability. They are well-suited for applications such as switch-  
ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,  
audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually  
any application where high reliability is required. The  
HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the  
need for additional isolating material between the device  
and the heatsink. This improves thermal efficiency and  
reduces drain capacitance.  
TO-254AA  
Features:  
n
n
n
n
n
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Electrically Isolated  
Dynamic dv/dt Rating  
n Light-weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
12  
8.0  
48  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
1.2  
±20  
750  
12  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
15  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.5  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)  
9.3 (Typical)  
Lead Temperature  
Weight  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/05/02  
1234567

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IRFM450 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTX2N7228U INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET SURFACE MOUNT(SMD-1)
JANTX2N7228 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFN450 INFINEON

完全替代

 POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.415ohm, Id=12A)

与IRFM450相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFM450D ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254VAR
IRFM450DPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM450PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFM450U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-254VAR
IRFM460 INFINEON

获取价格

 		POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM460D ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-254VAR
IRFM460SCV INFINEON

获取价格

 		500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRFM460SCX INFINEON

获取价格

 		500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM460U ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 19A I(D) | TO-254VAR
IRFM5210 SEME-LAB

获取价格

 		P?CHANNEL MOSFET

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