IRFM460

更新时间： 2024-09-24 22:40:55

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描述
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)

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IRFM460 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-254AA, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.27
Samacsys Description：	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA), 500V, N-Channel	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	19 A	最大漏源导通电阻：	0.31 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-MSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRFM460 数据手册

PD - 90727B

IRFM460

500V, N-CHANNEL

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET^®MOSFETTECHNOLOGY

Product Summary

Part Number

RDS(on)

IRFM460

0.27 Ω

19A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The

efficient geometry design achieves very low on-state re-

sistance combined with high transconductance. HEXFET

transistors also feature all of the well-established advan-

tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-

ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,

audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually

any application where high reliability is required. The

HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the

need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

TO-254AA

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

@ T = 25°C

250

W/°C

Linear Derating Factor

2.0

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

1200

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

3.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

9.3 (Typical)

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

2/6/02

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM460D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-254VAR
IRFM460SCV	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TXV
IRFM460SCX	INFINEON	获取价格	500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package - Screening Level TX
IRFM460U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 19A I(D) \| TO-254VAR
IRFM5210	SEME-LAB	获取价格	P?CHANNEL MOSFET
IRFM540	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFM8240	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM9034	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFM9034PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRFM9130	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, M

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