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IRFM9130PBF

更新时间: 2024-11-21 20:56:07
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英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 100V, 0.31ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

IRFM9130PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.21
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:100 V最大漏极电流 (Abs) (ID):11 A
最大漏极电流 (ID):11.5 A最大漏源导通电阻:0.31 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-254AA
JESD-30 代码:S-MSFM-P3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:METAL
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):48 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:PIN/PEG
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRFM9130PBF 数据手册

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