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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 18 A | 最大漏源导通电阻： | 0.22 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-254AA |
| JESD-30 代码： | S-XSFM-P3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 150 ns | 最大开启时间（吨）： | 120 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFM9230 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 6.5A I(D) | TO-254AA |
|
| IRFM9230PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.81ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFM9240 | INFINEON |
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POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
|
| IRFM9240 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-254AA |
|
| IRFM9240D | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9240DPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFM9240U | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
|
| IRFM9240UPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFMA450 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (Tabless TO-254AA) |
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| IRFMG40 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET THRU-HOLE 1000V, N-CHANNEL |
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