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IRFM9140A

更新时间： 2024-11-22 14:56:11

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-100V Single P-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-254AA package -

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IRFM9140A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-XSFM-P3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-254AA
JESD-30 代码：	S-XSFM-P3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	150 ns
最大开启时间（吨）：	120 ns	Base Number Matches：	1

IRFM9140A 数据手册

PD-90495H

IRFM9140

JANTX2N7236

JANTXV2N7236

JANS2N7236

100V, P-CHANNEL

REF: MIL-PRF-19500/595

HEXFET MOSFET TECHNOLOGY

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

Product Summary

Part Number

R_DS(on)

I_D

IRFM9140

-18A

0.20

Description

TO-254AA

HEXFET MOSFET technology is the key to IR HiRel

advanced line of power MOSFET transistors. The efficient

geometry design achieves very low on-state resistance

combined with high trans conductance. HEXFET transistors

also feature all of the well-established advantages of

MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as

switching power supplies, motor controls, inverters,

choppers, audio amplifiers, high energy pulse circuits, and

virtually any application where high reliability is required.

The HEXFET transistor’s totally isolated package

eliminates the need for additional isolating material

between the device and the heat sink. This improves

thermal efficiency and reduces drain capacitance.

Features



Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

Light Weight

ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750, Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

-18

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= -10V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

-11

-72

125

1.0

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

± 20

500

V_GS

E_AS

I_AR

-18

12.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

Storage Temperature Range

Lead Temperature

-5.5

-55 to + 150

T_STG

°C

300 (0.063 in. /1.6 mm from case for 10s)

9.3 (Typical)

Weight

For Footnotes refer to the page 2.

2016-06-22

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFM9140D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-254VAR
IRFM9140PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFM9140U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-254VAR
IRFM9230	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 6.5A I(D) \| TO-254AA
IRFM9230PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.81ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRFM9240	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
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IRFM9240D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-254VAR
IRFM9240DPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.52ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRFM9240U	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-254VAR

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