IRFMG50UPBF

更新时间： 2024-11-20 13:08:47

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IRFMG50UPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	雪崩能效等级（Eas）：	860 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (ID)：	5.6 A
最大漏源导通电阻：	2.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-254AA	JESD-30 代码：	R-MSFM-P3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IRFMG50UPBF 数据手册

PD - 90711B

IRFMG50

1000V, N-CHANNEL

POWER MOSFET

THRU-HOLE (TO-254AA)

HEXFET^®MOSFET TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number RDS(on)

IRFMG50 2.0Ω

5.6A

HEXFET^®MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The

efficient geometry design achieves very low on-state re-

sistance combined with high transconductance. HEXFET

transistors also feature all of the well-established advan-

tages of MOSFETs, such as voltage control, very fast switch-

ing, ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,

audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually

any application where high reliability is required. The

HEXFET transistor’s totally isolated package eliminates the

need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

TO-254AA

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Ceramic Eyelets

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current

5.6

3.5

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

150

W/°C

1.2

Gate-to-Source Voltage

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

860

5.6

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

V/ns

dv/dt

1.0

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Lead Temperature

Weight

300(0.063in./1.6mm from case for 10 sec)

9.3 (Typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

4/17/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFMJ044	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET SURFACE MOUNT (D3 PAK)
IRFML8244	INFINEON	获取价格	The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFML8244PBF	INFINEON	获取价格	Load/ System Switch
IRFML8244TR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:25V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRFML8244TRPbF	INFINEON	获取价格	Load/ System Switch
IRFML8244TRPBF	TYSEMI	获取价格	HEXFETpower MOSFET Multi-vendor compatibility Easier manufacturing Easier manufacturing
IRFN044	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A)
IRFN044SMD	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFN054	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.020ohm, Id=55A*)
IRFN054SCV	INFINEON	获取价格	60V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-1 package - Screening Level TXV

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