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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFN150PBF
IRFN150PBF PDF预览

IRFN150PBF

更新时间： 2024-01-13 02:19:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 189K
描述
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PIN

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IRFN150PBF 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.09
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.081 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：108 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFN150PBF 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.1547  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFN150  
N-CHANNEL  
Product Summary  
100 Volt, 0.060Ω HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors.The effi-  
cient geometry achieves very low on-stateresistancecom-  
binedwithhightransconductance.  
IRFN150  
100V  
0.060Ω  
34A  
Features:  
HEXFET transistors also feature all of the well-establish  
advantages of MOSFETs, such as voltage control, very  
fast switching, ease of paralleling and electrical param-  
eter temperature stability. They are well-suited for appli-  
cations such as switching power supplies, motor controls,  
inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy  
pulse circuits.  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Surface Mount  
■ Light-weight  
The Surface Mount Device (SMD-1) package represents  
another step in the continual evolution of surface mount  
technology. The SMD-1 will give designers the extra flex-  
ibility they need to increase circuit board density. Inter-  
national Rectifier has engineered the SMD-1 package to  
meet the specific needs of the power market by increas-  
ing the size of the termination pads, thereby enhancing  
thermal and electrical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
IRFN150  
34  
Units  
I
@ V  
D
GS  
A
I
D
@ V  
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
21  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
136  
150  
1.2  
DM  
@ T = 25°C  
P
W
W/K ➄  
V
D
C
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
150  
34  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
15  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
(for 5 seconds)  
2.6 (typical)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300  
To Order  
 
 
123456

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