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IRFN250

更新时间： 2024-11-04 22:24:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 188K
描述
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.100ohm, Id=27.4A)

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IRFN250 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, SMD1, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.11
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A最大漏极电流 (ID)：27.4 A
最大漏源导通电阻：0.105 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/592子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFN250 数据手册

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Index  
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Provisional Data Sheet No. PD-9.1549  
HEXFET® POWER MOSFET  
IRFN250  
N-CHANNEL  
Product Summary  
200 Volt, 0.100Ω HEXFET  
Part Number  
BVDSS  
RDS(on)  
ID  
HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s  
advanced line of power MOSFET transistors.The effi-  
cient geometry achieves very low on-stateresistancecom-  
binedwithhightransconductance.  
IRFN250  
200V  
0.100Ω  
27.4A  
Features:  
HEXFET transistors also feature all of the well-establish  
advantages of MOSFETs, such as voltage control, very  
fast switching, ease of paralleling and electrical param-  
eter temperature stability. They are well-suited for appli-  
cations such as switching power supplies, motor controls,  
inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy  
pulse circuits.  
■ Avalanche Energy Rating  
■ Dynamic dv/dt Rating  
■ Simple Drive Requirements  
■ Ease of Paralleling  
■ Hermetically Sealed  
■ Surface Mount  
■ Light-weight  
The Surface Mount Device (SMD-1) package represents  
another step in the continual evolution of surface mount  
technology. The SMD-1 will give designers the extra flex-  
ibility they need to increase circuit board density. Inter-  
national Rectifier has engineered the SMD-1 package to  
meet the specific needs of the power market by increas-  
ing the size of the termination pads, thereby enhancing  
thermal and electrical performance.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current  
C
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
IRFN250  
27.4  
17  
Units  
I
@ V  
D
GS  
A
I
D
@ V  
GS  
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
110  
DM  
@ T = 25°C  
P
150  
W
W/K ➄  
V
D
C
1.2  
V
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➁  
Avalanche Current ➀  
500  
27.4  
mJ  
AS  
I
A
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➂  
Operating Junction  
15.0  
mJ  
AR  
dv/dt  
5.0  
V/ns  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
(for 5 seconds)  
2.6 (typical)  
Package Mounting Surface Temperature  
Weight  
300  
To Order  
 
 
123456

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IRFN250 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		暂无描述
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