是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-276AB |
包装说明: | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.11 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (ID): | 27.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.105 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-276AB |
JESD-30 代码: | R-CBCC-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 110 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRFM250 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | |
IRFM240 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) | |
IRFN240 | INFINEON |
功能相似 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=18A) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFN250PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27.4A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IRFN250SMD | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFN340 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A) | |
IRFN340PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 | |
IRFN340SMD | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFN350 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.315ohm, Id=14A) | |
IRFN350PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IRFN3710 | INFINEON |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A) | |
IRFN3710 | SEME-LAB |
获取价格 |
N–CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFN3710PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |