IRFN340

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管
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POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A)

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IRFN340 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.26	雪崩能效等级（Eas）：	650 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.7 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON

IRFN340 数据手册

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Provisional Data Sheet No. PD-9.1550

HEXFET^®POWER MOSFET

IRFN340

N-CHANNEL

Product Summary

400 Volt, 0.55Ω HEXFET

Part Number

BVDSS

RDS(on)

HEXFETtechnology is the key to International Rectifier’s

advanced line of power MOSFET transistors.The effi-

cient geometry achieves very low on-stateresistancecom-

binedwithhightransconductance.

IRFN340

400V

0.55Ω

10A

Features:

HEXFET transistors also feature all of the well-establish

advantages of MOSFETs, such as voltage control, very

fast switching, ease of paralleling and electrical param-

eter temperature stability. They are well-suited for appli-

cations such as switching power supplies, motor controls,

inverters, choppers, audio amplifiers, and high energy

pulse circuits.

■ Avalanche Energy Rating

■ Dynamic dv/dt Rating

■ Simple Drive Requirements

■ Ease of Paralleling

■ Hermetically Sealed

■ Surface Mount

■ Light-weight

The Surface Mount Device (SMD-1) package represents

another step in the continual evolution of surface mount

technology. The SMD-1 will give designers the extra flex-

ibility they need to increase circuit board density. Inter-

national Rectifier has engineered the SMD-1 package to

meet the specific needs of the power market by increas-

ing the size of the termination pads, thereby enhancing

thermal and electrical performance.

Absolute Maximum Ratings

Parameter

= 10V, T = 25°C Continuous Drain Current

IRFN340

Units

@ V

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

@ T = 25°C

125

1.0

W/K ➄

±20

Single Pulse Avalanche Energy ➁

Avalanche Current ➀

650

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➂

Operating Junction

12.5

dv/dt

4.0

V/ns

-55 to 150

^oC

Storage Temperature Range

STG

(for 5 seconds)

2.6 (typical)

Package Mounting Surface Temperature

Weight

300

To Order

12 3 4 5 6

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IRFN340PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
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IRFN3710	INFINEON	获取价格	TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.028ohm, Id=45A)
IRFN3710	SEME-LAB	获取价格	N–CHANNEL POWER MOSFET
IRFN3710PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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