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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-276AA |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.19 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.065 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-276AA |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFNJ540 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRFNJ9130 | SEME-LAB |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI-REL APPLICATIONS |
|
| IRFNJZ48 | SEME-LAB |
获取价格 |
NâCHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFNL210B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
|
| IRFNL210BTA_FP001 | FAIRCHILD |
获取价格 |
1000mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN |
|
| IRFP040 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP042 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFP044 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFP044 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) |
|
| IRFP044N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A) |
|
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