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IRFN3710 PDF预览

IRFN3710

更新时间： 2024-02-18 06:09:47
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB /
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
N–CHANNEL POWER MOSFET

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IRFN3710 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.032 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：180 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFN3710 数据手册

 浏览型号IRFN3710的Datasheet PDF文件第2页 
IRFN3710  
MECHANICAL DATA  
Dimensions in mm (inches)  
N–CHANNEL  
POWER MOSFET  
0
.
8
9
(
0
.
0
3
5
)
m
i
n
.
3
.
7
0
(
0
.
1
4
6
)
3
.
7
0
(
0
.
1
4
6
)
3
.
6
0
(
0
.
1
4
2
)
VDSS  
ID(cont)  
RDS(on)  
100V  
45A  
3
.
4
1
(
0
.
1
3
4
)
3
.
4
1
(
0
.
1
3
4
)
M
a
x
.
1
3
Ω
0.028  
FEATURES  
2
• HERMETICALLY SEALED SURFACE  
MOUNT PACKAGE  
• SMALL FOOTPRINT – EFFICIENT USE OF  
PCB SPACE.  
9
.
6
7
(
0
.
3
8
1
)
• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS  
• LIGHTWEIGHT  
9
.
3
8
(
0
.
3
6
9
)
0
0
.
.
5
0
(
0
.
0
2
0
)
1
1
.
5
8
(
0
.
4
5
6
)
2
6
(
0
.
0
1
0
)
1
1
.
2
8
(
0
.
4
4
4
)
• HIGH PACKING DENSITIES  
SMD 1 PACKAGE (TO-276AB)  
Pad 1 – Source  
Pad 2 – Drain  
Pad 3 – Gate  
Note: IRF3710SMD also available with  
pins 1 and 3 reversed.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
V
Gate – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Continuous Drain Current  
20V  
45A  
GS  
I
I
I
(V = 0 , T  
= 25°C)  
D
GS  
case  
case  
(V = 0 , T  
= 100°C)  
30A  
D
GS  
1
Pulsed Drain Current  
180A  
DM  
P
Power Dissipation @ T = 25°C  
case  
125W  
D
Linear Derating Factor  
1.0W/°C  
250mJ  
3.7V/ns  
–55 to 150°C  
300°C  
2
E
Single Pulse Avalanche Energy  
AS  
3
dv/dt  
T , T  
Peak Diode Recovery  
Operating and Storage Temperature Range  
J
stg  
T
Package Mounting Surface Temperature (for 5 sec)  
Thermal Resistance Junction to Case  
L
R
1.0°C/W  
θJC  
Notes 1) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, δ ≤ 2%  
2) @ V = 25V , L ≥ 0.64mH , Peak I = 28A ,V  
= 10V, R = 25Ω, Starting T = 25°C  
DD  
AS  
J
GS  
G
3) @ I ≤ 28A , di/dt ≤ 390A/μs , V ≤ 100V , T ≤ 150°C  
SD  
DD  
J
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed  
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.  
Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.  
Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.  
Document Number 5586  
Issue 1  
E-mail: sales@semelab.co.uk  
Website: http://www.semelab.co.uk  
12

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