是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-276AA |
包装说明: | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 | 针数: | 5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.29 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 55 V |
最大漏极电流 (ID): | 22 A | 最大漏源导通电阻: | 0.016 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-276AA |
JESD-30 代码: | R-CBCC-N3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 88 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFNL210B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET | |
IRFNL210BTA_FP001 | FAIRCHILD |
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1000mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92, LEAD FREE, TO-92L, 3 PIN | |
IRFP040 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC | |
IRFP042 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-247AC | |
IRFP044 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFP044 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.028ohm, Id=57A) | |
IRFP044N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=53A) | |
IRFP044NPBF | INFINEON |
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Advanced Process Technology | |
IRFP044PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFP044PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |